ICP-RIE装置
設備ID | WS-007 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | ICP-RIE装置 (Inductively Coupled Plasma reactive ion etching) |
設置機関 | 早稲田大学 |
設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
メーカー名 | サムコ株式会社 (Samco Inc.) |
型番 | RIE-101iPH |
キーワード | 表面処理・エッチング プラズマエッチング |
仕様・特徴 | 汎用反応性エッチング装置 Si、Ti等の微細エッチング可 基板サイズは~4inch |