原子層堆積装置
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | WS-004 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 設備名称 | 原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition Systems) |
| 設置機関 | 早稲田大学 |
| 設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
| メーカー名 | PICOSUN JAPAN株式会社 (Picosun Japan Co. Ltd.) |
| 型番 | SUNALE R-150 |
| キーワード | アルミナの成膜 原子層堆積（ALD）装置 |
| 仕様・特徴 | Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能 H2O及びO3使用可 基板サイズ小片～4インチ 4”, 6”ウエハ, 及び20×20mm試料対応 基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=WS-004 |
