ウエハRTA装置
本設備の共用は終了しています。
後継の設備や同様の設備は、「共用設備検索」から検索するか「技術サポート・機器利用のお問い合わせ」よりお問い合わせください。
最終更新日:2024年8月28日
設備ID | NM-620 |
---|---|
分類 | > |
設備名称 | ウエハRTA装置 (Wafer RTA) |
設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟 |
メーカー名 | ハイソル (HiSOL) |
型番 | AccuThermo AW610 |
キーワード | 熱処理、RTA、RTP、アニール、合金化 |
仕様・特徴 | ・用途:小片~φ6インチの急速アニール ・加熱方式:赤外線ランプ加熱方式 ・プロセス温度:800度以下 ・昇温速度:150度/秒以下@Siウエハ、40度/秒以下@SiCサセプタ ・プロセスガス:N2, Ar, Ar+H2(3%), O2 ・最大試料サイズ:φ6inch |
設備状況 | 共用を終了した設備です |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-620 |