イオンビームスパッタ装置
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | WS-001 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | イオンビームスパッタ装置 (Ion Beam Sputter) |
| 設置機関 | 早稲田大学 |
| 設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
| メーカー名 | 伯東株式会社 (Hakuto Co., Ltd.) |
| 型番 | MILLATRON 820 |
| キーワード | 基板加熱、多層成膜加工 スパッタリング（スパッタ） |
| 仕様・特徴 | デュアルイオンビームスパッタ装置 試料サイズ ４インチ以下 ４ターゲット 基板昇温可能（約400℃） |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=WS-001 |
