レーザー描画装置〔DWL66+〕
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | AT-110 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクレス、直接描画） |
| 設備名称 | レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments) |
| 型番 | DWL66+ |
| キーワード | マスクレス露光 裏面合わせ露光 グレースケール露光 光露光（マスクレス、直接描画）/ Optical exposure (maskless and direct drawing) |
| 仕様・特徴 | ・型式:DWL66+ ・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt ・最小角型試料サイズ： 5mm×5mm ・描画エリア:200mm×200mm ・レーザー光源:405nm ・最小描画パターン:0.5μm （L&S）、0.3μm（孤立パターン） ・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内) ・裏面パターンとの重ね合わせ精度：1μm ・グレースケール露光:1000階調 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-110 |
