赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]
最終更新日：2024年2月29日
| 設備ID | NM-619 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
| 設備名称 | 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2] (RTA [RTP-6 #2]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟 |
| メーカー名 | アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO) |
| 型番 | RTP-6 |
| キーワード | 熱処理、RTA、RTP、アニール、合金化、熱処理、レーザーアニール/ Thermal treatment and laser annealing |
| 仕様・特徴 | ・用途：多目的熱処理プロセス ・加熱方式：赤外線ランプによる上部片面加熱 ・プロセス温度：1200℃以下 ・昇温速度：10℃/秒以下 ・プロセスガス：Ar, N2, Ar+H2(3%) ・最大試料サイズ：φ6inch ・その他：タッチパネル操作系 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-619 |
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]](data/facility_item/NM-619.jpg)