原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
最終更新日：2024年7月18日
| 設備ID | AT-102 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 設備名称 | 原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma) |
| 型番 | FlexAL |
| キーワード | ALD成膜 原子層堆積 表面分析機能 低温成膜 in-situ 分光エリプソ in-situ XPS ピュアオゾン 重水 D2 ND3 |
| 仕様・特徴 | ・型式:FlexAL（オックスフォードインスツルメンツ社製） ・試料サイズ:4インチφ ・基板温度:100-550℃ ・プラズマALD:600W（誘導結合型） ・基板バイアス:100W ・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3 ・材料ポート:8ポート ・キャリアガス:Ar ・表面分析用 in-situ XPS ・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ（J.A.ウラーム社製 M-2000） |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-102 |
