Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕
| 設備ID | AT-101 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕 (Si Deep RIE) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma) |
| 型番 | PlasmaPro_100_Cobra |
| キーワード | リアクティブドライエッチング プラズマエッチング ボッシュエッチング |
| 仕様・特徴 | ・型式:PlasmaPro_100_Cobra ・試料サイズ:4インチφ ・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ・ICP高周波電源: 3kW（2 MHz） ・バイアス高周波電源: 300W（13.56MHz）、最小 15W ・試料導入方式: ロードロック式 ・試料温度制御 ・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar |
