RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦）
最終更新日：2022年6月14日
| 設備ID | AT-095 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦） (RF-DC Sputter Deposition Equipment（Shibaura）) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA) |
| 型番 | i-Miller |
| キーワード | スパッタ DCスパッタリング RFスパッタリング 成膜 Arプラズマ |
| 仕様・特徴 | ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ・試料サイズ:8インチ ・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式 ・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ ・基板テーブル:回転機構付 ・逆スパッタ:200W ・ターゲット-基板間距離:82 mm ・基板加熱:なし ・膜厚分布:±5%以内@膜厚～600nm(SiO2、170 mmφ) ・到達真空度:10-5 Pa台 ・スパッタガス:Ar、O2、N2 ・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa ・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au, Cr, Cu, Nb, Pt, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-095 |
