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原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]

設備ID NM-618
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称 原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE] (ALE [PlasmaPro 100 ALE])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS千現地区 材料信頼性実験棟
メーカー名 オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
型番 PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
キーワード RIE、ALE、原子層エッチング、ICP、塩素系ガス、GaN、プラズマエッチング/ Plasma etching
仕様・特徴 ・用途:GaN、GaAs、化合物半導体のドライエッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス:Cl2,BCl3,SF6,Ar,N2,O2
・試料ステージ温度:-30~+80度
・最大試料サイズ:φ6インチ(オプションで8インチ可)
・その他:ICP エッチング加工, ALE プロセス, 終点検出機能装備
    原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]
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