原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]
設備ID | NM-618 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | 原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE] (ALE [PlasmaPro 100 ALE]) |
設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟 |
メーカー名 | オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments) |
型番 | PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE |
キーワード | RIE、ALE、原子層エッチング、ICP、塩素系ガス、GaN、プラズマエッチング/ Plasma etching |
仕様・特徴 | ・用途:GaN、GaAs、化合物半導体のドライエッチング ・プラズマ励起方式:誘導結合型 ・電源出力:ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大300W ・プロセスガス:Cl2,BCl3,SF6,Ar,N2,O2 ・試料ステージ温度:-30~+80度 ・最大試料サイズ:φ6インチ(オプションで8インチ可) ・その他:ICP エッチング加工, ALE プロセス, 終点検出機能装備 |