高速電子ビーム描画装置（エリオニクス）
| 設備ID | AT-093 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 電子線描画（EB） |
| 装置名称 | 高速電子ビーム描画装置（エリオニクス） (Electron Beam Lithography System (Elionix)) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | エリオニクス (ELIONIX) |
| 型番 | ELS-F130AN |
| キーワード | 電子線描画 マスクレスEB描画 EB露光 |
| 仕様・特徴 | ・型式:LS-F130AN ・試料サイズ:～12インチφ、9インチ□のマスクブランクス ・電子銃:ZrO/W熱電界放射型 ・加速電圧:130kV, 100kV, 50kV, 25kV ・最小ビーム径:1.7nm (@ 130kV) ・最小描画線幅:5nm (@ 130kV) ・最大スキャンクロック:100MHz ・ビーム電流強度:5pA～100nA ・フィールドサイズ:100μm □、250μm□、500μm□、1000μm□(100kV以下)、1500μm□(50kV以下)、3000μm□ (25kV以下) ・ビームポジション:1,000,000×1,000,000 (20bit DAC) ・位置決め分解能:0.1nm ・つなぎ精度:±10nm ・重ねあわせ精度:±15nm ・描画可能エリア:210mm×210mm |
