赤外線ランプ加熱炉（RTA）
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | AT-089 |
|---|---|
| 分類 |
熱処理・ドーピング > 拡散 熱処理・ドーピング > その他 |
| 設備名称 | 赤外線ランプ加熱炉（RTA） (RTA Furnace) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | アドバンス理工 (ADVANCE RIKO) |
| 型番 | RTP-6S |
| キーワード | 熱処理 ドーピング 熱酸化 酸化/ Oxidation 拡散/ Diffusion |
| 仕様・特徴 | ・型式:RTP-6S ・試料サイズ:小片～4インチφ ・到達真空度:-4乗Pa台 ・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式 ・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御) ・加熱範囲:150 mmφ ・温度範囲:RT～1000℃ ・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec) ・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中) ・温度センサ:熱電対(シースR熱電対) ・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-089 |
