プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN）
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | AT-081 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN） (Plasma-assisted CVD (SiN)) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | PD-220SN |
| キーワード | 成膜 CVD プラズマCVD PCVD TEOS酸化膜 SiO2 SN-2 Si3N4 化学蒸着（CVD）装置/ Chemical vapor deposition (CVD) |
| 仕様・特徴 | ・型式:PD-220NS ・試料サイズ:8インチ ・成膜種:SiO2, Si3N4 ・電極間隔:25mm (上部電極:Al製、下部電極:SUS製) ・高周波電源:300W（13.5MHｚ） ・ステージ加熱:350℃（抵抗加熱方式 ） |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-081 |
