ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]
| 設備ID | NM-617 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | ICP-RIE装置 [RV-APS-SE] (ICP-RIE [RV-APS-SE]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟 |
| メーカー名 | 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products) |
| 型番 | MUC-21 RV-APS-SE |
| キーワード | RIE、誘導結合、ICP、フッ素系ガス、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ・用途：SiC，SiN，SiO2等の高速エッチング ・プラズマ励起方式：誘導結合型 ・電源出力：ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW ・プロセスガス：CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He ・試料ステージ温度：-10～+40度 ・最大試料サイズ：φ6inch ・その他：SiO2エッチングレート：0.5μm/min以上，終点検出機能装備 |
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