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シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]

最終更新日:2024年2月29日
設備ID NM-616
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
設備名称 シリコンDRIE装置 [ASE-SRE] (Si Deep RIE [ASE-SRE])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS千現地区 材料信頼性実験棟
メーカー名 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products)
型番 MUC-21 ASE-SRE
キーワード RIE、ボッシュ、シリコン、深掘り、MEMS、貫通、TSV、プラズマエッチング/ Plasma etching
仕様・特徴 ・用途:MEMS等,シリコン深掘エッチング
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W
・プロセスガス:SF6,C4F8,Ar,O2
・試料ステージ温度:室温
・最大試料サイズ:φ6inch
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-616
    シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
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