シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
最終更新日:2024年2月29日
設備ID | NM-616 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
設備名称 | シリコンDRIE装置 [ASE-SRE] (Si Deep RIE [ASE-SRE]) |
設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟 |
メーカー名 | 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products) |
型番 | MUC-21 ASE-SRE |
キーワード | RIE、ボッシュ、シリコン、深掘り、MEMS、貫通、TSV、プラズマエッチング/ Plasma etching |
仕様・特徴 | ・用途:MEMS等,シリコン深掘エッチング ・プラズマ励起方式:誘導結合型 ・電源出力:ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W ・プロセスガス:SF6,C4F8,Ar,O2 ・試料ステージ温度:室温 ・最大試料サイズ:φ6inch |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-616 |