ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
最終更新日：2024年2月29日
| 設備ID | NM-615 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ICP-RIE装置 [RIE-101iPH] (ICP-RIE [RIE-101iPH]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟506号室 |
| メーカー名 | サムコ (samco) |
| 型番 | RIE-101iPH |
| キーワード | RIE、誘導結合、ICP、塩素系ガス、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ・用途：化合物半導体のドライエッチング ・金属薄膜のドライエッチング ・プラズマ励起方式：誘導結合型 ・電源出力：ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W ・プロセスガス：Cl2，BCl3，Ar，O2，N2 ・試料ステージ温度：200度以下 ・最大試料サイズ：φ4inch |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-615 |
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