原子層堆積装置_1[FlexAL]
| 設備ID | AT-031 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 装置名称 | 原子層堆積装置_1[FlexAL] (Atomic Layer Deposition_1〔FlexAL〕) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma) |
| 型番 | FlexAL |
| キーワード | ALD成膜 原子層堆積 Al2O3, SiO2, HfO2, ZnO, TiO2, SiN薄膜 in-situ 分光エリプソ |
| 仕様・特徴 | ・型式:FlexAL ・試料サイズ:8インチφ ・基板温度:100-550℃ ・プラズマALD:600W（誘導結合型） ・基板バイアス:100W ・反応ガス:H2O, O2, N2, H2, NH3 ・材料ポート:8ポート ・常備材料ガス:TMA, DEZn, 3DMAS, TTIP, TDMATi, TBTDMTa, TEMAHf, Ru(EtCp)2, TBTDEN, TEMAZr, TDMAHf ・キャリアガス:Ar ・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ |
![原子層堆積装置_1[FlexAL]](data/facility_item/AT-031.jpg)