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プラズマCVD薄膜堆積装置

設備ID AT-030
分類 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
装置名称 プラズマCVD薄膜堆積装置 (Plasma-assisted CVD(TEOS/SiO2))
設置機関 産業技術総合研究所(AIST)
設置場所 AISTつくば中央 2-12棟
メーカー名 サムコ (Samco)
型番 PD-20SS
キーワード 化学蒸着
TEOS/CVD
プラズマCVD
酸化シリコン膜
TEOS酸化膜
仕様・特徴 ・型式:PD-20SS
・試料サイズ8インチ
・有効成膜範囲:220mmφ
・排気系:ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ
・圧力制御:オートプレッシャーコントローラー(コンダクタンス可変型)
・高周波電源:300W(13.56MHz)
・電極間隔:25mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(400℃)
・導入ガス:C2F6, O2, TEOS

    プラズマCVD薄膜堆積装置
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