多目的エッチング装置(ICP-RIE)
最終更新日：2022年6月14日
| 設備ID | AT-019 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 多目的エッチング装置(ICP-RIE) (ICP Reactive Ion Etching System（ICP-RIE）) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-101iPHS-L |
| キーワード | リアクティブドライエッチング プラズマエッチング ボッシュエッチング |
| 仕様・特徴 | ・型式:RIE-101iPHS-L ・試料サイズ:4インチφ, 5mmt ・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ・ICP高周波電源: 最大500W（13.56 MHz） ・バイアス高周波電源: 最大200W（13.56 MHz） ・試料導入方式: ロードロック式 ・試料温度制御: -18℃～常温 ・使用ガス: SF6, CHF3, CF4, Ar, O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-019 |
