反応性イオンエッチング装置 (RIE)
最終更新日：2022年6月14日
| 設備ID | AT-018 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 反応性イオンエッチング装置 (RIE) (Reactive Ion Etching System（RIE）) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-200L |
| キーワード | リアクティブドライエッチング プラズマエッチング 酸化膜、シリコンエッチング |
| 仕様・特徴 | ・型式:RIE-200L ・試料サイズ:8インチφ, 8mmt ・高周波電源:最大300 W（13.56 MHz） ・RF制御:インピーダンスオートマッチング ・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極 ・電極間隔:55 mm ・使用ガス:SF6, CF4, O2 ・パージガス:N2ガス |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-018 |
