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CCP-RIE装置 [RIE-200NL]

最終更新日:2024年2月29日
設備ID NM-614
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
設備名称 CCP-RIE装置 [RIE-200NL] (CCP-RIE [RIE-200NL])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS並木地区 MANA棟506号室
メーカー名 サムコ (samco)
型番 RIE-200NL
キーワード RIE、平行平板、CCP、フッ素系ガス、プラズマエッチング/ Plasma etching
仕様・特徴 ・用途:多種材料のドライエッチング
・プラズマ励起方式:平行平板型
・電源出力:最大300W
・プロセスガス:CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度:室温
・最大試料サイズ:φ8inch
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-614
    CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
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