CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
最終更新日:2024年2月29日
設備ID | NM-614 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
設備名称 | CCP-RIE装置 [RIE-200NL] (CCP-RIE [RIE-200NL]) |
設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟506号室 |
メーカー名 | サムコ (samco) |
型番 | RIE-200NL |
キーワード | RIE、平行平板、CCP、フッ素系ガス、プラズマエッチング/ Plasma etching |
仕様・特徴 | ・用途:多種材料のドライエッチング ・プラズマ励起方式:平行平板型 ・電源出力:最大300W ・プロセスガス:CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2 ・試料ステージ温度:室温 ・最大試料サイズ:φ8inch |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-614 |