電子ビーム描画装置(CRESTEC)
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | AT-001 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 電子線描画（EB） |
| 設備名称 | 電子ビーム描画装置(CRESTEC) (Electron Beam Lithography System （CRESTEC）) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | クレステック (CRESTEC) |
| 型番 | CABL_9410TFNA |
| キーワード | リソグラフィ EB露光 マスクレスEB描画 電子線描画（EB）/ Electron beam lithography |
| 仕様・特徴 | ・型式:CABL-9410TFNA ・試料サイズ:6インチφ×4.6 mm(高さ) ・電子銃:熱電界放射型ZrO/Wエミッタ ・最小スポット:2 nmφ(加速電圧50 kV) ・描画可能な最小線幅:10 nm(レジスト膜厚100 nm) ・走査方式:ベクター走査、ラスター走査 ・走査領域:最大1 mm□ ・つなぎ合わせ描画領域:最大150 mm□ ・つなぎ合わせ精度:50 nm以下 ・重ね合わせ精度:50 nm以下 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-001 |
