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イオンミリング

設備ID BA-018
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
微小加工装置 > イオンミリング(断面加工)
装置名称 イオンミリング (Ion Milling System)
設置機関 筑波大学
設置場所 プロジェクト研究棟
メーカー名 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番 IM4000PLUS
キーワード イオンミリング(断面加工)/ Ion milling (cross-section processing)
仕様・特徴 断面ミリングと平面ミリングに対応したハイブリッドタイプのイオンミリング装置
<断面ミリングホルダ>
使用ガス:Ar(アルゴン)ガス
加速電圧:0~6kV
最大ミリングレート(材料Si):500μm/hr以上
最大試料サイズ:20(W)×12(D)×7(H)mm
試料移動範囲:X ±7mm 、 Y 0~+3mm
<平面ミリングホルダ>
使用ガス:Ar(アルゴン)ガス
加速電圧:0~6kV
最大試料サイズ:Φ50 × 25(H) mm
試料移動範囲:X 0~+5mm
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