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微細パターン形成装置群(スピンコーター、マスクアライナー)

最終更新日:2024年4月5日
設備ID BA-011
分類 リソグラフィ > 光露光(マスクアライナ)
設備名称 微細パターン形成装置群(スピンコーター、マスクアライナー) (Photolithography system (Mask aligner, Spincoater))
設置機関 筑波大学
設置場所 共同研究棟C
メーカー名 Neutronix-Quintel/ミカサ ( Neutronix-Quintel/Mikasa)
型番 Q 2001CT/MS-A100
キーワード マスク露光
レジスト塗布
光露光(マスクアライナ)/ Optical exposure (mask aligner)
仕様・特徴 Neutronix-Quintel社製Q 2001CT(2.5インチマスク用コンタクトアライナー)
マスク-ウエハ間隔;0-180μm
基板;1cm角~4インチφ マスク;2.5インチ角、5インチ角
光源;200W水銀ランプ(350~450nm)
解像度;0.6~1.0μm
マニュアルアライメント;1.0μm
照度分布;≤5%@3.5インチφ

ミカサ社製MS-A100(スピンコーター)
基板: 5mm角から4インチφまで
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=BA-011
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