スパッタリング装置
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | BA-002 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | スパッタリング装置 (Sputtering System) |
| 設置機関 | 筑波大学 |
| 設置場所 | 共同研究棟C |
| メーカー名 | 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS) |
| 型番 | CFS-4EP-LL (i-miller) |
| キーワード | スパッタリング装置 スパッタリング（スパッタ）/ Sputtering |
| 仕様・特徴 | スパッタ方式：マグネトロン・サイドスパッタ RF500W （DC） スパッタ源：3インチ×4（強磁性体材料用GUN1基含む）、逆スパッタ可 サンプルホルダ：最大φ220 mm／最小20 mm （4インチウエハ用および不定形用ホルダあり） 加熱温度：室温～300℃ 到達真空度・時間：10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa 排気系：ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ 操作方式：全自動（レシピ設定可） プロセスガス：Ar、N2、O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=BA-002 |
