赤外線加熱単結晶製造装置（FZ炉）
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | CT-029 |
|---|---|
| 分類 |
熱処理・ドーピング > 成長炉 合成設備 > その他 |
| 設備名称 | 赤外線加熱単結晶製造装置（FZ炉） (Infrared image furnace for single crystal growth (Floating zone furnace)) |
| 設置機関 | 公立千歳科学技術大学 |
| 設置場所 | E104 |
| メーカー名 | キヤノンマシナリー (Canon Machinery) |
| 型番 | SC-M50XS |
| キーワード | 酸化物誘電体等の高純度単結晶生成 成長炉 |
| 仕様・特徴 | ・光源：キセノンランプ ・最高加熱温度：2,700 ℃ ・結晶成長速度：0.2~50 mm/h |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=CT-029 |
