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赤外線加熱単結晶製造装置(FZ炉)

設備ID CT-029
分類 熱処理・ドーピング > 成長炉
合成設備 > その他
装置名称 赤外線加熱単結晶製造装置(FZ炉) (Infrared image furnace for single crystal growth (Floating zone furnace))
設置機関 公立千歳科学技術大学
設置場所 E104
メーカー名 キヤノンマシナリー (Canon Machinery)
型番 SC-M50XS
キーワード 酸化物誘電体等の高純度単結晶生成
成長炉
仕様・特徴 ・光源:キセノンランプ
・最高加熱温度:2,700 ℃
・結晶成長速度:0.2~50 mm/h
    赤外線加熱単結晶製造装置(FZ炉)
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