スパッタ装置 [JSP-8000]
最終更新日:2023年5月10日
設備ID | NM-608 |
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分類 | 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ) |
設備名称 | スパッタ装置 [JSP-8000] (Sputter [JSP-8000]) |
設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟 |
メーカー名 | アルバック (ULVAC) |
型番 | j-Sputter |
キーワード | スパッタ、薄膜、金属、絶縁膜、RF、DC、反応性スパッタ、逆スパッタ、バイアススパッタ |
仕様・特徴 | ・用途:金属・絶縁薄膜形成 ・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/3元同時/逆スパッタ可能 ・電源出力:Max 500W ・カソード:φ4インチ×4式 ・プロセスガス:Ar,O2,N2 ・最大試料サイズ:φ6inch ・その他:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度) ・現有ターゲット:Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-608 |