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スパッタ装置 [JSP-8000]

最終更新日:2023年5月10日
設備ID NM-608
分類 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ)
設備名称 スパッタ装置 [JSP-8000] (Sputter [JSP-8000])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS千現地区 材料信頼性実験棟
メーカー名 アルバック (ULVAC)
型番 j-Sputter
キーワード スパッタ、薄膜、金属、絶縁膜、RF、DC、反応性スパッタ、逆スパッタ、バイアススパッタ
仕様・特徴 ・用途:金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/3元同時/逆スパッタ可能
・電源出力:Max 500W
・カソード:φ4インチ×4式
・プロセスガス:Ar,O2,N2
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度)
・現有ターゲット:Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-608
    スパッタ装置 [JSP-8000]
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