シリコン深掘りエッチング装置
最終更新日:2022年6月10日
設備ID | HK-624 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
設備名称 | シリコン深掘りエッチング装置 (Si Deep RIE System) |
設置機関 | 北海道大学 |
設置場所 | 創成科学研究棟クリーンルーム |
メーカー名 | SPPテクノロジーズ (SPP Technologies) |
型番 | APX-Pegasus-Polestar |
キーワード | 高速深掘り ランピング機能 |
仕様・特徴 | 使用ガス:SF6、C4F8、Ar、O2 試料サイズ:最大4インチ |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=HK-624 |