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反応性イオンエッチング装置

設備ID	HK-621
分類	膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称	反応性イオンエッチング装置 (Reactive ion Etching Systems)
設置機関	北海道大学
設置場所	創成科学研究棟クリーンルーム
メーカー名	サムコ (samco)
型番	RIE-10NRV
キーワード	SiO₂ SiN レジストアッシング
仕様・特徴	使用ガス：CF₄、Ar、O₂、CHF₃ 試料サイズ：最大8インチ