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ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素）

設備ID	HK-620
分類	膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称	ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素） (ICP-RIE Etching Systems(F))
設置機関	北海道大学
設置場所	創成科学研究棟クリーンルーム
メーカー名	サムコ (samco)
型番	RIE-101iPH
キーワード	シリコンエッチング
仕様・特徴	使用ガス：SF₆、C₄F₈、CF₄、Ar、O₂、CHF₃、C₃F₈ 試料サイズ：最大４インチ