ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素）
最終更新日：2022年6月10日
| 設備ID | HK-620 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ICP高密度プラズマエッチング装置（フッ素） (ICP-RIE Etching Systems(F)) |
| 設置機関 | 北海道大学 |
| 設置場所 | 創成科学研究棟クリーンルーム |
| メーカー名 | サムコ (samco) |
| 型番 | RIE-101iPH |
| キーワード | シリコンエッチング |
| 仕様・特徴 | 使用ガス：SF6、C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8 試料サイズ：最大４インチ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=HK-620 |
