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ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素）

設備ID	HK-619
分類	膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称	ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素） (ICP-RIE Etching Systems(Cl))
設置機関	北海道大学
設置場所	創成科学研究棟クリーンルーム
メーカー名	サムコ (samco)
型番	RIE-101iHS
キーワード	GaAs、GaN、InP、サファイア
仕様・特徴	使用ガス：Ar、O₂、SiCl₄、Cl₂ 試料サイズ：最大４インチ