レーザー描画装置
最終更新日:2022年4月9日
設備ID | HK-604 |
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分類 | リソグラフィ > 光露光(マスクレス、直接描画) |
設備名称 | レーザー描画装置 (Laser lithography system) |
設置機関 | 北海道大学 |
設置場所 | 創成科学研究棟クリーンルーム |
メーカー名 | ハイデルベルグ (Heidelberg) |
型番 | DWL66+ |
キーワード | グレースケール露光 マスク作製 |
仕様・特徴 | 光源:405nm半導体レーザー 描画エリア:最大8インチ角 最小描画線幅:0.3ミクロン(HiRes)、0.8ミクロン(WMII) 255階調グレースケールモード搭載 バックアライメント機能 |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=HK-604 |