誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-236 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置 (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | (株)アルバック (ULVAC, Inc.) |
| 型番 | Gemini-200E |
| キーワード | 誘導結合型ドライエッチング プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | 有磁場ICP方式の高密度プラズマエッチング装置。 ・基板サイズ：Φ6 ・プロセスガス：C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3ほか ・用途：各種メタル、GaN、ITOほか ・スター電極による汚れ防止対策 ・カセット室装備 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=KT-236 |
