誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置
設備ID | KT-236 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | 誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置 (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher) |
設置機関 | 京都大学 |
設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
メーカー名 | (株)アルバック (ULVAC, Inc.) |
型番 | Gemini-200E |
キーワード | 誘導結合型ドライエッチング プラズマエッチング/ Plasma etching |
仕様・特徴 | 有磁場ICP方式の高密度プラズマエッチング装置。 ・基板サイズ:Φ6 ・プロセスガス:C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3ほか ・用途:各種メタル、GaN、ITOほか ・スター電極による汚れ防止対策 ・カセット室装備 |