深堀りドライエッチング装置（１）
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-234 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 深堀りドライエッチング装置（１） (Reactive Ion Deep Silicon Etcher No.1) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | サムコ(株) (Samco Inc.) |
| 型番 | RIE-800iPB-KU |
| キーワード | Ｓｉウェハ深掘り プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ボッシュプロセスを導入したMEMS用高速シリコンエッチング装置 (13.56MHz,400KHz 電源搭載) ・ボッシュプロセス ・基板サイズ Φ6ウエハ 用途：Si |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=KT-234 |
