シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
設備ID | KT-213 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | シリコン犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor XeF2 Release Etcher ) |
設置機関 | 京都大学 |
設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
メーカー名 | 住友精密工業(株) (Xactix, Inc.SPTS Technologies Ltd.) |
型番 | Xetch X3B |
キーワード | シリコンエッチング プラズマエッチング/ Plasma etching |
仕様・特徴 | XeF2を用いたPoly-Si、c-Siの等方ドライエッチング装置(非プラズマ)。 ・基板サイズ:MAXΦ6 ・プロセスガス:XeF2、N2 ・用途:Si、Ge ほか |