シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-213 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | シリコン犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor XeF2 Release Etcher ) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | 住友精密工業(株) (Xactix, Inc.SPTS Technologies Ltd.) |
| 型番 | Xetch X3B |
| キーワード | シリコンエッチング プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | XeF2を用いたPoly-Si、c-Siの等方ドライエッチング装置（非プラズマ）。 ・基板サイズ：MAXΦ6 ・プロセスガス：XeF2、N2 ・用途：Si、Ge ほか |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=KT-213 |
