シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
設備ID | KT-212 |
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分類 | 膜加工・エッチング > ガスエッチング |
装置名称 | シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor HF Release Etcher) |
設置機関 | 京都大学 |
設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
メーカー名 | 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.) |
型番 | MLT-SLE-Ox |
キーワード | HFガス応用酸化膜犠牲層エッチング ガスエッチング/ Gas etching |
仕様・特徴 | 気相HFによってSiO2を選択除去するためのドライエッチング装置(非プラズマ)。 ・基板:MAX Φ8(常用Φ6)×3枚、不定形可 ・用途:SOIデバイスのBOXエッチ など |