ドライエッチング装置
| 設備ID | KT-210 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | ドライエッチング装置 (Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | サムコ(株) (Samco Inc.) |
| 型番 | RIE-10NR-KF |
| キーワード | シリコン酸化膜、窒化膜のドライエッチング プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | 汎用的な平行平板型反応性イオンエッチング装置。 ・基板サイズ：MAX Φ8 ・プロセスガス：CHF3、CF4、Ar、O2 ・用途： SiO2、SiN、アッシング ほか |
