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磁気中性線放電ドライエッチング装置

最終更新日:2024年4月2日
設備ID KT-209
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
設備名称 磁気中性線放電ドライエッチング装置  (Magnetic Neutral Loop Discharge Plasma Dry Etcher)
設置機関 京都大学
設置場所 京都大学 吉田キャンパス
メーカー名 (株)アルバック (ULVAC, Inc.)
型番 NLD-570
キーワード ガラスや複合酸化物のドライエッチング
プラズマエッチング/ Plasma etching
仕様・特徴 磁気中性線プラズマ(NLD)による低圧・低電子温度・高密度プラズマを搭載したドライエッチング装置。
・基板サイズ:Φ6
・RF電源:2kW@ICP(13.56MHz)、600W@BIAS(12.5MHz)
・プロセスガス:C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3 ほか
・用途:石英、ガラス、サファイア、金属酸化物 ほか
・ロードロック機構
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=KT-209
    磁気中性線放電ドライエッチング装置
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