プラズマCVD装置
| 設備ID | KT-205 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 装置名称 | プラズマCVD装置 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.) |
| 型番 | MPX-CVD |
| キーワード | 酸化膜または窒化膜形成 化学蒸着（CVD）装置/ Chemical vapor deposition (CVD) |
| 仕様・特徴 | 液体ソース（酸化膜／窒化膜用）を用いたプラズマCVD装置。 ・基板サイズ：MAX Φ6 ・RF電源：500W＠上部(13.56MHz)、500W＠下部(380kHz) ・プロセスガス：C4F8、H2 ほか ・液体ソース：TEOS（テトラエトキシシラン）、TSA（トリシリルアミン） ・温度：150～350℃ |
