多元スパッタ装置（仕様Ａ）
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-201 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | 多元スパッタ装置（仕様Ａ） (RF Magnetron Multi-Sputter Type-A ) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION) |
| 型番 | EB-1100 |
| キーワード | PZT薄膜専用（Ar/O2雰囲気） スパッタリング（スパッタ）/ Sputtering |
| 仕様・特徴 | 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。 ・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形 ・カソード：非磁性体Φ4PMC×4（RF電源：1,000W×2） ・TS距離：100～200mm ・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ） ・ガス：Ar、O2 ・ターゲット：Ti、Pt、PZT、PLT ほか ・ロードロック機構 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=KT-201 |
