多元スパッタ装置(仕様A)
設備ID | KT-201 |
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分類 | 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ) |
装置名称 | 多元スパッタ装置(仕様A) (RF Magnetron Multi-Sputter Type-A ) |
設置機関 | 京都大学 |
設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
メーカー名 | キャノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION) |
型番 | EB-1100 |
キーワード | PZT薄膜専用(Ar/O2雰囲気) スパッタリング(スパッタ)/ Sputtering |
仕様・特徴 | 研究開発~小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置(高温対応)。 ・基板サイズ:Φ4、Φ6、不定形 ・カソード:非磁性体Φ4PMC×4(RF電源:1,000W×2) ・TS距離:100~200mm ・温度:RT~800℃(ハロゲンランプ) ・ガス:Ar、O2 ・ターゲット:Ti、Pt、PZT、PLT ほか ・ロードロック機構 |