大面積超高速電子ビーム描画装置
| 設備ID | KT-115 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 電子線描画（EB） |
| 装置名称 | 大面積超高速電子ビーム描画装置 (Large Area and Ultra-High Speed Electron Beam Lithography) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | (株)アドバンテスト (ADVANTEST CORPORATION) |
| 型番 | F7000S-KYT01 |
| キーワード | レジストパターニング 超高速電子線描画 |
| 仕様・特徴 | 1Xnmの解像性能で、研究開発から製造までの幅広い用途に対応。 ・加速電圧：50kV（ビーム電流：640A） ・解像度：1Xnm ・基板：□10mm～Φ8 ・露光方式：CP、VSB（超高速描画対応） |
