高精度電子線描画装置
最終更新日:2022年4月9日
設備ID | NU-249 |
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分類 |
走査型顕微鏡 > 走査型電子顕微鏡 リソグラフィ > 電子線描画(EB) |
設備名称 | 高精度電子線描画装置 (Scanning electron microscope with add-on lithography system ) |
設置機関 | 名古屋大学 |
設置場所 | IB電子情報館西棟5階 |
メーカー名 | 日本電子 サンユー電子 (JEOL Sanyu Electron) |
型番 | JSM-7000FK SPG-724 |
キーワード | 表面形状分析 電子線露光 |
仕様・特徴 | ・分解能:1.2 nm(30kV) ・倍率:×10~×1,000,000 ・試料室:最大200 mm ・描画方式:ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式 ・描画フィールド:50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□(ラスタースキャン),2,500 µm□,1ブロック=2.5 µm□(ブロックスキャン) |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NU-249 |