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高精度電子線描画装置

最終更新日:2022年4月9日
設備ID NU-249
分類 走査型顕微鏡 > 走査型電子顕微鏡
リソグラフィ > 電子線描画(EB)
設備名称 高精度電子線描画装置 (Scanning electron microscope with add-on lithography system )
設置機関 名古屋大学
設置場所 IB電子情報館西棟5階
メーカー名 日本電子 サンユー電子 (JEOL Sanyu Electron)
型番 JSM-7000FK SPG-724
キーワード 表面形状分析
電子線露光
仕様・特徴 ・分解能:1.2 nm(30kV)
・倍率:×10~×1,000,000
・試料室:最大200 mm
・描画方式:ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
・描画フィールド:50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□(ラスタースキャン),2,500 µm□,1ブロック=2.5 µm□(ブロックスキャン)
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NU-249
    高精度電子線描画装置
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