高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置
最終更新日：2022年6月7日
| 設備ID | NU-238 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 (High temperature ICP plasma etching) |
| 設置機関 | 名古屋大学 |
| 設置場所 | 低温プラズマ科学研究センター |
| メーカー名 | 自作 (Lab made) |
| 型番 | |
| キーワード | 塩素エッチング |
| 仕様・特徴 | ・高温でのCl2，BCl3プラズマエッチングプロセス ・基板温度：200℃-600℃ ・使用ガス：Cl2，Ar，N2，BCl3，O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NU-238 |
