高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置
設備ID | NU-238 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 (High temperature ICP plasma etching) |
設置機関 | 名古屋大学 |
設置場所 | 低温プラズマ科学研究センター |
メーカー名 | 自作 (Lab made) |
型番 | |
キーワード | 塩素エッチング |
仕様・特徴 | ・高温でのCl2,BCl3プラズマエッチングプロセス ・基板温度:200℃-600℃ ・使用ガス:Cl2,Ar,N2,BCl3,O2 |