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光干渉式膜厚測定装置 (Film thickness measurement instruments)
- 設備ID
- GA-016
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
![光干渉式膜厚測定装置](data/facility_item/1718341633_11.jpg)
- メーカー名
- シータメトリシス (ThetaMetrisis)
- 型番
- FR-Scanner-AIO-Mic-XY200
- 仕様・特徴
- 測定膜厚範囲(SiO2):10nm – 80μm(10X)
測定精度:0.2% or 2nm
測定波長範囲:380nm~1020nm
多層膜測定:4層まで可能
測定スポット径:10,25,50,100μm
光源:ハロゲンランプ
サンプルサイズ:Max.200 x 200 mm
光学フィルター:Y-48、R-60
その他:自動マッピング
ゼータ電位&粒径測定装置(ELSZ-2000ZS) (Zeta-potential/Particle-size analyzer (ELSZ-2000ZS))
- 設備ID
- NM-218
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![ゼータ電位&粒径測定装置(ELSZ-2000ZS)](data/facility_item/1716881861_11.jpg)
- メーカー名
- 大塚電子 (Otsuka Electronics)
- 型番
- ELSZ-2000ZS
- 仕様・特徴
- ・粒径: 0.6 nm ~ 8 µm
・ゼータ電位: -200 ~ +200 mV
・試料濃度:0.00001~40%
・測定温度:0~90 ℃ (ガラスセル)、10~50 ℃ (ディスポセル)
分光エリプソメーター [UNECS-2000A] (Spectroscopic Ellipsometer [UNECS-2000A])
- 設備ID
- NM-663
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![分光エリプソメーター [UNECS-2000A]](data/facility_item/1709196827_11.jpg)
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- UNECS-2000A
- 仕様・特徴
- 1. 光源:ハロゲンランプ
2. 波長範囲:530~750 nm
3. スポット径:1mm
4. 入射角:70°固定
5. 試料サイズ:最大φ200mm
段差計 (Surface profiler)
- 設備ID
- NU-261
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
![段差計](data/facility_item/1694068862_11.jpg)
- メーカー名
- 小坂研究所 (Kosaka Laboratory)
- 型番
- ET200A
- 仕様・特徴
- ・最大サンプルサイズ:φ160×厚さ52mm
・再現性 :1σ 0.3nm以内
・測定範囲 :Z:600µm,X:100mm
・分解能 :Z:0.1nm,X:0.1µm
・測定力:10µN~500µN
ゼータ電位計 (Zeta potential analyzer)
- 設備ID
- NM-013
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![ゼータ電位計](data/facility_item/NM-013.jpg)
- メーカー名
- 大塚電子 (Otsuka Electronics)
- 型番
- ELSZ-1000Z
- 仕様・特徴
- ・ゼータ電位測定範囲:-200~200mV
・光学系:レーザードップラー法
・光源:高出力・高安定化半導体レーザー
・セル:標準セル、微量ディスポセルもしくは平板用セル
・検出器:高感度APD
・温度:10 ~ 90℃
動的光散乱光度計 (Dynamic light scattering (DLS) spectrophotometer)
- 設備ID
- NM-014
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![動的光散乱光度計](data/facility_item/NM-014.jpg)
- メーカー名
- 大塚電子 (Otsuka Electronics)
- 型番
- DLS-8000HAL
- 仕様・特徴
- ・粒径測定範囲:1.4nm~7µm
・重量平均分子量の測定範囲 :300~2×107 Mw
・光源:He-Neレーザー(632.8nm)、固体ブルーレーザー(488nm)
・検出器:光電子増倍管(フォトンカウンティング方式)
・セル:21φ円筒セル、12φ円筒セル、5φ微量セル
・セル室温度:5~90℃
・角度範囲:5 ~ 160°
粒度分布測定装置 (Particle size analyzer)
- 設備ID
- NM-015
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![粒度分布測定装置](data/facility_item/NM-015.jpg)
- メーカー名
- 島津製作所 (Shimadzu)
- 型番
- SALD-2100
- 仕様・特徴
- ・測定範囲:0.03µm~1000µm
・光源:680nm 半導体レーザー
・測定方式:湿式測定のみ(乾式測定不可)
接触角計 (Contact angle meter)
- 設備ID
- NM-016
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![接触角計](data/facility_item/NM-016.jpg)
- メーカー名
- AST Products (AST Products)
- 型番
- VCA Optima-XE
- 仕様・特徴
- ・材料表面に液体を滴下して接触角を測定します。
・測定範囲:0~180°
・再現性:1°
・正確性::0.5°
顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV] (Optical Film Mapper [F54-XY-200-UV])
- 設備ID
- NM-624
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]](data/facility_item/NM-624.jpg)
- メーカー名
- フィルメトリクス株式会社 (FILMETRICS)
- 型番
- F54-XY-200-UV
- 仕様・特徴
- ・用途:反射分光膜厚測定
・光源:重水素ハロゲンランプ
・波長:190-1100nm
・スポット径:10 μm以下
・測定膜厚範囲:5nm以下~30μm
・最大試料サイズ:φ8inch
・その他:自動マッピング、顕微式
エリプソメーター [MARY-102FM] (Ellipsometer [MARY-102FM])
- 設備ID
- NM-625
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![エリプソメーター [MARY-102FM]](data/facility_item/NM-625.jpg)
- メーカー名
- ファイブラボ (five Lab)
- 型番
- MARY-102FM
- 仕様・特徴
- ・用途:絶縁膜形成評価
・光源:632nm He-Neレーザー
・ビーム径:0.8mm
・入射角:50°,60°,70°
・最大試料サイズ:φ6inch