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原子層堆積装置

設備ID NU-232
分類 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置
装置名称 原子層堆積装置 (Atomic layer deposition)
設置機関 名古屋大学
設置場所 ベンチャービジネスラボラトリ
メーカー名 サムコ (Samco)
型番 AD-100LE
キーワード 原子層堆積
仕様・特徴 ・Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用
・基板サイズ:212 mmΦ
・加熱温度:最大500℃
・ガス導入系:有機金属系2系統,H2O,O2,N2
    原子層堆積装置
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