原子層堆積装置
最終更新日:2022年6月7日
設備ID | NU-232 |
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分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
設備名称 | 原子層堆積装置 (Atomic layer deposition) |
設置機関 | 名古屋大学 |
設置場所 | ベンチャービジネスラボラトリ |
メーカー名 | サムコ (Samco) |
型番 | AD-100LE |
キーワード | 原子層堆積 |
仕様・特徴 | ・Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用 ・基板サイズ:212 mmΦ ・加熱温度:最大500℃ ・ガス導入系:有機金属系2系統,H2O,O2,N2 |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NU-232 |