リアクティブイオンエッチング装置
本設備の共用は終了しています。
後継の設備や同様の設備は、「共用設備検索」から検索するか「技術サポート・機器利用のお問い合わせ」よりお問い合わせください。
最終更新日：2024年8月28日
| 設備ID | NU-217 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | リアクティブイオンエッチング装置 (Reactive ion etching) |
| 設置機関 | 名古屋大学 |
| 設置場所 | 先端技術共同研究施設 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-10N |
| キーワード | 反応性イオンエッチング SiO2エッチング |
| 仕様・特徴 | ・CF4，SF6，O2使用可能 ・電極径：210 mmΦ ・最大RF電力：：300Ｗ |
| 設備状況 | 共用を終了した設備です |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NU-217 |
