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8元MBE装置

設備ID NU-214
分類 成膜装置 > MBE(分子線エピタキシー)
装置名称 8元MBE装置 (8 sources molecular beam epitaxy)
設置機関 名古屋大学
設置場所 先端技術共同研究施設
メーカー名 自作 (Lab made)
型番
キーワード MBE
金属成膜
多層膜
仕様・特徴 ・蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
・試料サイズ30 mm角
・高圧電源3台
・基板加熱:1000℃
・1kV Arイオンエッチング機構
・20 kV RHEED表面観察機能
    8元MBE装置
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