ICPエッチング装置
設備ID | NU-209 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | ICPエッチング装置 (ICP etching) |
設置機関 | 名古屋大学 |
設置場所 | 先端技術共同研究施設 |
メーカー名 | サムコ (Samco) |
型番 | RIE-800 |
キーワード | Boshプロセス Siエッチング 深堀 |
仕様・特徴 | ・ロードロック式装置 ・ウェーハサイズ:6 inch ・ボッシュプロセス,ウエハー貫通エッチングが可能 ・加工速度:50 µm/min ・加工ガス:SF6,O2 |