ICPエッチング装置
最終更新日：2022年6月7日
| 設備ID | NU-209 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ICPエッチング装置 (ICP etching) |
| 設置機関 | 名古屋大学 |
| 設置場所 | 先端技術共同研究施設 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-800 |
| キーワード | Boshプロセス Siエッチング 深堀 |
| 仕様・特徴 | ・ロードロック式装置 ・ウェーハサイズ：6 inch ・ボッシュプロセス，ウエハー貫通エッチングが可能 ・加工速度：50 µm/min ・加工ガス：SF6，O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NU-209 |
