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両面露光用マスクアライナ

最終更新日:2022年4月9日
設備ID NU-208
分類 リソグラフィ > 光露光(マスクアライナ)
設備名称 両面露光用マスクアライナ (Mask aligner)
設置機関 名古屋大学
設置場所 先端技術共同研究施設
メーカー名 Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG)
型番 MA-6
キーワード 光リソグラフィ
コンタクト露光
両面露光
仕様・特徴 ・対応基板サイズ:10mm~最大6インチ径ウェハ
・主波長:350 nm〜450 nm
・裏面アラインメント機能(CCD画像記憶方式)
・アライメント精度:±0.5 µm(表面アラインメント),±0.1 µm(裏面アラインメント)
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NU-208
    両面露光用マスクアライナ
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