両面露光用マスクアライナ
| 設備ID | NU-208 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクアライナ） |
| 装置名称 | 両面露光用マスクアライナ (Mask aligner) |
| 設置機関 | 名古屋大学 |
| 設置場所 | 先端技術共同研究施設 |
| メーカー名 | Suss MicroTec AG (Suss MicroTec AG) |
| 型番 | MA-6 |
| キーワード | 光リソグラフィ コンタクト露光 両面露光 |
| 仕様・特徴 | ・対応基板サイズ：10mm～最大6インチ径ウェハ ・主波長：350 nm〜450 nm ・裏面アラインメント機能（CCD画像記憶方式） ・アライメント精度:±0.5 µm(表面アラインメント)，±0.1 µm(裏面アラインメント) |
