高速ランプアニール装置
最終更新日:2022年4月9日
設備ID | UT-802 |
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分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
設備名称 | 高速ランプアニール装置 (Lamp Annealer) |
設置機関 | 東京大学 |
設置場所 | 武田先端知クリーンルーム |
メーカー名 | 米倉製作所 (YONEKURA MFG) |
型番 | MS-HP2-9 |
キーワード | 加熱、アニール |
仕様・特徴 | φ3inchまで(条件によってφ4inchまで可能)。大気および窒素雰囲気。昇温速度200℃/minまで、到達温度1000℃まで可能。 |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-802 |